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三菱电机与安世半导体共同开发碳化硅(SiC)功率半导体
发布时间:2023.12.06 来源: 新闻中心

  。三菱电机将运用其宽带隙半导体技能开发和供给SiC,安世半导体将运用该芯片来开发SiC分立器材。

  协作方面,前不久,Coherent、电装和三菱电机已达到协议,将向Coherent的SiC事务出资,出资金额总计10亿美元(各5亿美元)。 这笔出资将使电装和三菱各交换12.5%的非控股股权,Coherent将持有剩下75%的股权。买卖完结之前,Coherent将把SiC事务分离出来,并将其投入一家子公司,子公司将持续由Coherent的新风险出资与宽带隙电子技能履行副总裁Sohail Khan领导。

  该SiC子公司将与电装和三菱电机达到长时间供给协议,以满意电装和三菱对150 mm和200 mm的SiC衬底和外延片的需求。

  近年来,Coherent出资扩展了150 mm和200 mm衬底的出产规模,以应对这一商场。此次对SiC事务进行10亿美元的兼并出资,将为扩产该事务的衬底和外延片供给资金,另一方面,结合一同签定的供给协议,还可增强SiC事务在商场中的位置。估计2024年第一季度完结此次买卖。

  而本年5月,三菱电机就与Coherent签署了一份体谅备忘录(MOU),两边协作展开一项方案,在200mm技能渠道上大规模制作SiC电力电子器材。

  依据公告,为满意敏捷增加的需求,三菱电机宣告在到2026年3月的五年内出资约2600亿日元。出资的首要部分(约1000亿日元)将用于建造一个依据200mm技能渠道的SiC功率器材的新工厂,并加强相关出产设备。依据体谅备忘录,Coherent公司将为三菱电机未来在新工厂出产的SiC功率器材开发供给200mm n型4H SiC衬底片。

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