元胞的基本结构，其中P-collector、N-drift和P-base区构成PNP部分，N+源区、P-base基区以及N-drift作为漏区共同构成n MOS结构。整体上看，IGBT结构是在MOS管结构的基础上，将部分n型漏极区用重掺杂p型区代替，两者最大的不同之处在于，MOS管器件采用低掺杂的n型漏极区以获得较高的击穿电压，然而在导通状态下会产生较大的压降；相反，IGBT背面引入的N-drift/P-collector结可以在器件导通时向漂移区注入少数载流子，在电导调制作用下大幅度的降低漂移区

  作为一个三端器件，IGBT正面有两个电极，分别为发射极（Emitter）和栅极（Gate）；背面为集电极（Collector）。在正向工作状态下，发射极接地或接负压，集电极接正压，两电极间电压VCE》0，因此又分别称为阴极和阳极，栅极作为控制电极，能够最终靠调整其电压实现电路的导通或截止。

  IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）和可控硅（SCR，Silicon ControlledRectifier）都是功率半导体器件，但它们的工作原理和特性存在一些差异，因此在某些应用中可以替代，但在其他情况下可能不适用。以下是关于IGBT能否直接代替可控硅的一些考虑：

  - IGBT能轻松实现双向控制，可实现开关操作，具备比较好的开关特性，能轻松实现快速开关和控制。

  - 可控硅主要使用在于交流电压调节、电炉控制、电力系统中的无功补偿等场合。

  基于以上考虑，IGBT通常可以在某些应用中替代可控硅，特别是需要频繁开关和双向控制的场合。但在一些特定的应用中，可控硅可能仍然是更合适的选择，特别是在需要稳定导通状态和单向控制的场合。

  将IGBT直接代替可控硅可能会产生一些影响，具体取决于替换的具体应用和环境。以下是可能的影响：

  - 可控硅具有优秀的反向阻断能力，适用于需要在极短时间内承受较高反向电压冲击的场合。而IGBT的反向阻断能力相对较弱，不适用于这种高反向电压冲击的场合。

  - IGBT的开关速度较快，可能会引入更多的电磁干扰，影响系统的稳定性和电磁兼容性。而可控硅的开关速度较慢，可能会减少电磁干扰。

  - 在某些应用中，IGBT的导通损耗比可控硅更低，但在一些特定应用中，可能由于开关特性导致额外的损耗，影响系统效率。

  - 可控硅是一种触发后从始至终保持导通状态的器件，而IGBT需要外部控制信号才能开通并保持导通。因此在控制逻辑和方式上在大多数情况下要做出一些调整。

  - 在某些应用场景下，可控硅的稳定性可能更好，因为其触发后从始至终保持导通状态，不受外部控制信号的影响。而IGBT的开关操作有可能受到外部干扰影响。

  总的来说，将IGBT直接代替可控硅可能会带来一些影响，包括反向阻断能力、电磁干扰、损耗、控制方式和系统稳定性等方面。因此在进行替换时，需要充分评估具体应用的要求和性能需求，以确保替换后系统的可靠性和稳定能力。